BPW85C, фототранзистор 620..980 нм.
![Фото 1/5 BPW85C, фототранзистор 620..980 нм.](https://static.chipdip.ru/lib/740/DOC043740079.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/935/DOC002935638.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/620/DOC020620937.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/280/DOC000280163.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC023786099.jpg)
317 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
172 ֏
от 400 шт. —
159 ֏
от 700 шт. —
156 ֏
10 шт.
на сумму 3 170 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
фототранзисторы
Описание Фототранзистор, 3мм, -p макс: 850нм, 70В, 50°, Линза: прозрачная
Технические параметры
Brand | Vishay Semiconductors |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 70 V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 70 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
Dark Current | 200 nA |
Factory Pack Quantity | 5000 |
Half Intensity Angle Degrees | 25 deg |
Height | 4.5 mm |
Length | 3.4 mm |
Lens Color/Style | Clear |
Light Current | 8 mA |
Manufacturer | Vishay |
Maximum On-State Collector Current | 50 mA |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | T-1 |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Peak Wavelength | 850 nm |
Product | Phototransistors |
Product Category | Phototransistors |
RoHS | Details |
Type | Chip |
Wavelength | 850 nm |
Width | 3.4 mm |
Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
BPW85
pdf, 109 КБ
bpw85
pdf, 121 КБ
Документация
pdf, 98 КБ
Импортные оптоэлектронные приборы
pdf, 355 КБ