IRG4PH40UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт

Фото 1/3 IRG4PH40UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 000 ֏
от 5 шт.5 500 ֏
от 9 шт.5 200 ֏
от 18 шт.5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 000 ֏
Номенклатурный номер: 8713779453

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт

Технические параметры

Корпус TO-247AC
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 41A
Current - Collector Pulsed (Icm) 82A
Family IGBTs-Single
Gate Charge 86nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Online Catalog Standard IGBTs
Other Names *IRG4PH40UDPBF
Package / Case TO-247-3
Packaging Bulk
Power - Max 160W
Product Training Modules IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr) 63ns
Series -
Standard Package 25
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 1.8mJ(on), 1.93mJ(off)
Td (on/off) @ 25°C 46ns/97ns
Test Condition 800V, 21A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet IRG4PH40UDPBF
pdf, 255 КБ
IRG4PH40UD Datasheet
pdf, 338 КБ