IRG4PH40UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
![Фото 1/3 IRG4PH40UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179528.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880007.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/191/DOC000191904.jpg)
6 000 ֏
от 5 шт. —
5 500 ֏
от 9 шт. —
5 200 ֏
от 18 шт. —
5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 000 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247AC | |
Category | Discrete Semiconductor Products | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 41A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 82A | |
Family | IGBTs-Single | |
Gate Charge | 86nC | |
IGBT Type | - | |
Input Type | Standard | |
Mounting Type | Through Hole | |
Online Catalog | Standard IGBTs | |
Other Names | *IRG4PH40UDPBF | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Bulk | |
Power - Max | 160W | |
Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
Reverse Recovery Time (trr) | 63ns | |
Series | - | |
Standard Package | 25 | |
Supplier Device Package | TO-247AC | |
Switching Energy | 1.8mJ(on), 1.93mJ(off) | |
Td (on/off) @ 25°C | 46ns/97ns | |
Test Condition | 800V, 21A, 10 Ohm, 15V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 21A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet IRG4PH40UDPBF
pdf, 255 КБ
IRG4PH40UD Datasheet
pdf, 338 КБ