FF200R12KS4HOSA1 Series IGBT Module, 275 A 1200 V AG-62MM-1, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
218 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 218 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 275А |
| DC Ток Коллектора | 275А |
| Power Dissipation | 1.4кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.2В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 1.4кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 2 Fast |
| Channel Type | N |
| Configuration | Series |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 275 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1400 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | AG-62MM-1 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 335 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Infineon-FF200R12KS4-DS-v03_04-en_de
pdf, 630 КБ
