SP001575396
![Фото 1/4 SP001575396](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086575.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/437/DOC005437171.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/353/DOC008353275.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
242 ֏
1 шт.
на сумму 242 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Крутизна характеристики S,А/В | 14 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 30 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Вес, г | 1 |