IRLMS1902TRPBF, транзистор N канал 20В 3.2А лог Micro6/TSOP6
![Фото 1/5 IRLMS1902TRPBF, транзистор N канал 20В 3.2А лог Micro6/TSOP6](https://static.chipdip.ru/lib/958/DOC002958030.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/594/DOC008594028.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086723.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC022435502.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/200/DOC033200545.jpg)
211 ֏
Кратность заказа 7 шт.
от 154 шт. —
78 ֏
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 1 477 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 | |
Корпус | Micro6/TSOP6 | |
Крутизна характеристики S,А/В | 3.2 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 0.7 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 100 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.1Ом | |
Power Dissipation | 1.7Вт | |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | HEXFET | |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В | |
Непрерывный Ток Стока | 3.2А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ | |
Рассеиваемая Мощность | 1.7Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.1Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 | |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet IRLMS1902TRPBF
pdf, 191 КБ