SKM75GB12V
![Фото 1/2 SKM75GB12V](https://static.chipdip.ru/lib/276/DOC027276111.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/475/DOC047475014.jpg)
2 шт. с центрального склада, срок 3 недели
75 100 ֏
от 2 шт. —
71 500 ֏
1 шт.
на сумму 75 100 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Описание
Электроэлемент
IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 114A; Transistor Polarity: Dual Channel; DC Collector Current: 114A; Emitter...
Технические параметры
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 114(A) |
Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
Configuration | Dual |
Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Screw |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Pin Count | 7 |
Rad Hardened | No |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 114 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | SEMITRANS2 |
Transistor Configuration | Series |
Application | for UPS, frequency changer, Inverter, photovoltaics |
Case | SEMITRANS2 |
Collector current | 75A |
Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Mechanical mounting | screw |
Pulsed collector current | 225A |
Semiconductor structure | transistor/transistor |
Topology | IGBT half-bridge |
Type of module | IGBT |
Version | D61 |
Вес, г | 176 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet SKM75GB12V
pdf, 385 КБ
Документация
pdf, 245 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг