N-Channel MOSFET, 50 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IXTP50N20P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 360 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.06Ом |
| Power Dissipation | 360Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PolarHT |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 360Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 2 |
