N-Channel MOSFET, 3.1 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 Diodes Inc DMN2065UW-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
87 ֏
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 8 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.35mm |
| Вес, г | 12 |
