BSS670S2LH6327XTSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 0.54А 70Вт

Фото 1/3 BSS670S2LH6327XTSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 0.54А 70Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 ֏
Мин. кол-во для заказа 34 шт.
от 708 шт.49 ֏
от 1415 шт.41 ֏
от 3000 шт.38 ֏
34 шт. на сумму 2 108 ֏
Номенклатурный номер: 8910795156

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 0.54А 70Вт

Технические параметры

Корпус sot-23
Base Product Number BSS670 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 540mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.26nC @ 10V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 270mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series OptiMOSв„ў ->
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2.7ВµA
RoHS Compliant Yes
Case SOT23
Drain current 0.54A
Drain-source voltage 55V
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting SMD
On-state resistance 0.65Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.36W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.05

Техническая документация