IRF9640SPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
![Фото 1/7 IRF9640SPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом](https://static.chipdip.ru/lib/464/DOC044464007.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/372/DOC022372624.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/240/DOC012240770.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC024313782.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC024313789.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/818/DOC034818157.jpg)
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 97 шт. —
418 ֏
от 193 шт. —
396 ֏
от 386 шт. —
388 ֏
4 шт.
на сумму 2 120 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Крутизна характеристики S,А/В | 4.1 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 500 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | D2PAK(TO-263) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Width | 9.65mm | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | P-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
Packaging | Cut Tape(CT) | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 125W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V | |
Series | - | |
Supplier Device Package | D2PAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF9640SPBF
pdf, 231 КБ
IRF9640s
pdf, 173 КБ
IRF9640SPBF
pdf, 979 КБ
Документация
pdf, 230 КБ