IRFR310TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
![Фото 1/4 IRFR310TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461948.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
276 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 77 шт. —
227 ֏
от 154 шт. —
214 ֏
от 308 шт. —
196 ֏
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 208 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 2.38 mm | |
Длина | 6.73 mm | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Размер фабричной упаковки | 2000 | |
Серия | IRFR | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка / блок | TO-252-3 | |
Ширина | 6.22 mm | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 3.6 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 400 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 25 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Width | 6.22mm | |
Вес, г | 0.63 |