BPW34S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. с центрального склада, срок 9 дней
368 ֏
от 5 шт. —
357 ֏
1 шт.
на сумму 368 ֏
Описание
Описание Фотодиод -max 850 нм, 0.4...1.1 мкм, Фототок 80 мкА, - 120 °, Темновой ток 2 нА, 0.9
Технические параметры
| Automotive | No |
| Maximum Dark Current - (nA) | 30 |
| Maximum Fall Time - (ns) | 20 |
| Maximum Forward Voltage - (V) | 1.3 |
| Maximum Light Current - (uA) | 80 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150 |
| Maximum Reverse Voltage - (V) | 32 |
| Maximum Rise Time - (ns) | 20 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -40~100 |
| Peak Wavelength - (nm) | 850 |
| Photo Sensitivity | 0.62A/W |
| Photodiode Material | Si |
| Pin Count | 2 |
| Polarity | Reverse |
| Supplier Package | DIL SMT |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 166 КБ
Документация
pdf, 133 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
