IS61LV25616AL-10TLI, Микросхема
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 140 ֏
1 шт.
на сумму 4 140 ֏
Описание
SRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Технические параметры
| Access Time | 10ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 4Mb (256K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 3.135V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Вес, г | 2 |
