SPB80N06S2-08, Транзистор N-MOSFET 55В 80А [TO-263]
![SPB80N06S2-08, Транзистор N-MOSFET 55В 80А [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC046195055.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 ֏
от 5 шт. —
1 760 ֏
1 шт.
на сумму 1 830 ֏
Описание
SPB80N06 - OptlMOS, 80A, 55V, 0.008ohm, N-Channel, MOSFET
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Family | MOSFETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Polarity | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Names | SP000016356 |
| Package / Case | D²Pak, SMD-220, TO-263(2 leads+tab) |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power - Max | 215W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 58A, 10V |
| Series | * |
| Standard Package | 1 |
| Вес, г | 1.66 |
Техническая документация
SP(I,P,B)80N06S2-08
pdf, 563 КБ
