SI2367DS-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
365 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 365 ֏
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1,1Вт, SOT23
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.008 |