TSM60NB190CZ C0G, Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 13 дней
2 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 320 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 600V, 18A, Single N- Channel Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Pd - рассеивание мощности | 150.6 W |
Qg - заряд затвора | 31 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 21 ns |
Время спада | 21 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 95 ns |
Типичное время задержки при включении | 36 ns |
Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 1.69 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 824 КБ
Datasheet TSM60NB190CZ C0G
pdf, 775 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг