Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Diodes › ZXMN6A07FTA, Транзистор N-MOSFET, полевой ...

ZXMN6A07FTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,1А, 0,806Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

147 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 147 ֏

Номенклатурный номер: 9001389033

Бренд: DIODES INC.

Описание

Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.2 A
Maximum Drain Source Resistance	450 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Maximum Power Dissipation	806 mW
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	3.2 nC 10 V
Width	1.4mm
Вес, г	1