FDB3652, Транзистор N-MOSFET 100В 61А 150Вт [D2PAK]
![Фото 1/2 FDB3652, Транзистор N-MOSFET 100В 61А 150Вт [D2PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/244/DOC040244553.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842069.jpg)
2 050 ֏
от 5 шт. —
1 920 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 61А, 150Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | D2PAK |
Drain current | 61A |
Drain-source voltage | 100V |
Gate charge | 53nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 43mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 150W |
Technology | PowerTrench® |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 747 КБ