SCT3160KLGC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 3 недели
14 200 ֏
от 2 шт. —
13 500 ֏
1 шт.
на сумму 14 200 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 1200В, 17А, 103Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Factory Pack Quantity | 450 |
| Fall Time | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SCT3160KLC11 |
| Pd - Power Dissipation | 103 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 42 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Series | SCT3x |
| Technology | SiC |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -4 V to 22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5.6 V |
| Вес, г | 8.722 |
Техническая документация
Документация
pdf, 699 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг