BCP55
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
273 ֏
от 10 шт. —
190 ֏
от 100 шт. —
115 ֏
2 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Технические параметры
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.5@50mA@500mA V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 2000 mW |
Minimum DC Current Gain | 25@5mA@2VI40@150mA@2VI25@500mA@2V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -65 to 150 °C |
Type | NPN |
Вес, г | 0.1571 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 424 КБ