BC847B
![BC847B](https://static.chipdip.ru/lib/734/DOC046734976.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
405 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
172 ֏
от 10 шт. —
93 ֏
от 100 шт. —
27 ֏
2 шт.
на сумму 810 ֏
Посмотреть аналоги20
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 45V, 100mA, 300mW, SOT-23, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V, Transition Frequency ft:300MHz, Power Dissipation Pd:300mW, DC Collector Current:100mA, DC Current Gain hFE:330hFE , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Assembly | SMD |
Collector current | 100 mA |
Enclosure | SOT-23 |
Max DC amplification | 450 mA |
max. operating temperature | 150 °C |
max.voltage between collector and base Vcbo | 50 V |
max.voltage between collector and emitter Vceo | 45 V |
Min DC gain | 200 mA |
min. operating temperature | -65 °C |
Power dissipation | 0.3 W |
Rated current | 500 mA |
Saturation voltage | 250 mV |
Transit frequency fTmin | 300 MHz |
Version | NPN |
Вес, г | 0.0318 |
Техническая документация
BC846...BC848
pdf, 299 КБ