NTE2380
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 шт. с центрального склада, срок 3 недели
12 100 ֏
от 2 шт. —
11 300 ֏
от 5 шт. —
10 700 ֏
от 10 шт. —
10 300 ֏
1 шт.
на сумму 12 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 500V, 3OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 2.5(A) |
| Drain-Source On-Volt | 500(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 40(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Case | TO220 |
| Drain current | 2.5A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| On-state resistance | 4Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Pulsed drain current | 10A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 3.536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 72 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг