2SD2212T100
184 шт. с центрального склада, срок 3 недели
840 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
580 ֏
от 10 шт. —
471 ֏
от 100 шт. —
382 ֏
2 шт.
на сумму 1 680 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
60V 2W 2A NPN + diode(Isolated) TO-243AA Transistors - Special Purpose
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 70 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 70 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 1000 |
| DC Current Gain hFE Max | 1000 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Collector Cut-off Current | 1 uA |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | 2SD2212 |
| Product Category | Darlington Transistors |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Width | 2.5 mm |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 1uA |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@1mA, 1A |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 60V |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 1000@1A, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition frequency (fT) | 80MHz |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet 2SD2212T100
pdf, 87 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг