DMG4511SK4-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -35/35В, -8,6/7,8А, 1,54Вт
![Фото 1/6 DMG4511SK4-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -35/35В, -8,6/7,8А, 1,54Вт](https://static.chipdip.ru/lib/557/DOC044557559.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/565/DOC040565428.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/721/DOC035721368.jpg)
1 280 ֏
от 5 шт. —
580 ֏
от 25 шт. —
462 ֏
от 100 шт. —
376 ֏
1 шт.
на сумму 1 280 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Описание Транзистор полевой DMG4511SK4-13 от DIODES INCORPORATED сочетает в себе современные технологии и высокую надежность. Этот N+P-MOSFET транзистор предназначен для монтажа SMD и имеет корпус TO252-4, что обеспечивает легкость интеграции в различные схемы. С током стока 8,6 А и напряжением сток-исток 35 В, он обладает достаточной мощностью для большинства применений, составляя 1,54 Вт. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,035 Ом указывает на его высокую эффективность и способность минимизировать потери мощности. Приобретая DMG4511SK413, вы получаете надежный компонент для эффективного управления электронными процессами. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N+P-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 8.6 |
Напряжение сток-исток, В | 35 |
Мощность, Вт | 1.54 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.035 |
Корпус | TO252-4 |
Технические параметры
Case | TO252-4 |
Drain current | 7.8/-8.6A |
Drain-source voltage | 35/-35V |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Kind of transistor | complementary pair |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.035/0.045Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.54W |
Semiconductor structure | common drain |
Type of transistor | N/P-MOSFET |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N|P |
Configuration | Dual Common Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 8.6@N Channel|7.8@P Channel |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 35@10V@N Channel|45@10V@P Channel |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 35 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 8900 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Number of Elements per Chip | 2 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 4 |
Pin Count | 5 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 29.5@P Channel|35.6@N Channel |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19.2@P Channel|18.7@N Channel |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 850@25V@N Channel|985.2@25V@P Channel |
Typical Rise Time (ns) | 2.8@N Channel|4.8@P Channel |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45.8@P Channel|33.2@N Channel |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.2@P Channel|5.4@N Channel |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 9.3 A, 9.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 35 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 8.9 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V |
Width | 6.2mm |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 35.6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 4.5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 5.3 A, 5 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 1.54 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 18.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
Rise Time: | 2.8 ns |
Series: | DMG4511 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 33.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 35 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 258 КБ
Datasheet
pdf, 196 КБ
Datasheet
pdf, 254 КБ
Datasheet DMG4511SK4-13
pdf, 192 КБ