FDB2572, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 29А, 135Вт, TO263AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 250 ֏
от 5 шт. —
1 810 ֏
от 25 шт. —
1 450 ֏
от 100 шт. —
1 240 ֏
1 шт.
на сумму 2 250 ֏
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Drain current | 29A |
| Drain-source voltage | 150V |
| Gate charge | 34nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 146mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 135W |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SC-70-3 |
| Part # Aliases: | FDB2572_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 135 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Series: | FDB2572 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 1.79 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 406 КБ