IXFN44N80P, Модуль, одиночный транзистор, Uds 800В, Id 39А, SOT227B, Ugs ±30В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 500 ֏
от 3 шт. —
33 700 ֏
от 10 шт. —
29 500 ֏
1 шт.
на сумму 42 500 ֏
Описание
Дискретные полупроводниковые модули 36 Amps 800V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Pd - рассеивание мощности | 694 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Время нарастания | 22 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Высота | 12.22 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Ширина | 25.42 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.19Ом |
| Power Dissipation | 694Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Module |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 44А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 694Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.19Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | ISOTOP |
| Вес, г | 37.32 |
Техническая документация
Datasheet IXFN44N80P
pdf, 132 КБ
Datasheet IXFN44N80P
pdf, 136 КБ