FDP3632, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 310Вт, TO220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 400 ֏
от 3 шт. —
3 880 ֏
от 10 шт. —
3 020 ֏
1 шт.
на сумму 4 400 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 310Вт, TO220 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 12A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 110nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 22mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 310W |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2.02 |