IXFK420N10T, Транзистор N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 100В, 420А, 1670Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 400 ֏
от 3 шт. —
17 600 ֏
от 10 шт. —
15 100 ֏
1 шт.
на сумму 21 400 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Drain current | 420A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 670nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 2.6mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1670W |
| Reverse recovery time | 140ns |
| Technology | GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 179 КБ