IXFN64N60P, Модуль, одиночный транзистор, 600В, 50А, SOT227B, Ugs: ±40В, 700Вт
![Фото 1/2 IXFN64N60P, Модуль, одиночный транзистор, 600В, 50А, SOT227B, Ugs: ±40В, 700Вт](https://static.chipdip.ru/lib/978/DOC035978965.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744355.jpg)
48 500 ֏
от 3 шт. —
39 100 ֏
1 шт.
на сумму 48 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Описание Модуль, одиночный транзистор, 600В, 50А, SOT227B, Ugs: ±40В, 700Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | SOT227B |
Drain current | 50A |
Drain-source voltage | 600V |
Electrical mounting | screw |
Gate charge | 200nC |
Gate-source voltage | ±40V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | IXYS |
Mechanical mounting | screw |
On-state resistance | 96mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 700W |
Pulsed drain current | 150A |
Reverse recovery time | 200ns |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | HiPerFET™, PolarHV™ |
Type of module | MOSFET transistor |
Вес, г | 35.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 190 КБ