FDC653N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 1,6Вт, SuperSOT-6
![Фото 1/2 FDC653N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 1,6Вт, SuperSOT-6](https://static.chipdip.ru/lib/408/DOC035408459.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC027066008.jpg)
750 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
396 ֏
от 500 шт. —
342 ֏
3 шт.
на сумму 2 250 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Case | SuperSOT-6 |
Drain current | 5A |
Drain-source voltage | 30V |
Gate charge | 16nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 56mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.6W |
Technology | PowerTrench® |
Type of transistor | N-MOSFET |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 12 ns |
Forward Transconductance - Min: | 6.2 S |
Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SSOT-6 |
Part # Aliases: | FDC653N_NL |
Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 17 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
Rise Time: | 12 ns |
Series: | FDC653N |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | FET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
RDS-on | 35@10V mOhm |
Typical Fall Time | 6 ns |
Typical Rise Time | 12 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7.5 ns |
Вес, г | 0.05 |