IXFN210N30X3, Модуль, одиночный транзистор, Uds 300В, Id 210А, SOT227B, винтами
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 300 ֏
1 шт.
на сумму 54 300 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Описание Модуль, одиночный транзистор, Uds 300В, Id 210А, SOT227B, винтами
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 210A |
| Drain-source voltage | 300V |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 375nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 4.6mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 695W |
| Pulsed drain current | 650A |
| Reverse recovery time | 190ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | HiPerFET™, X3-Class |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 30.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3744 КБ