IXFH18N60P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 18А, 360Вт, TO247-3
![IXFH18N60P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 18А, 360Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 300 ֏
от 3 шт. —
6 400 ֏
от 10 шт. —
4 930 ֏
от 30 шт. —
4 040 ֏
1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 18A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate charge | 50nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.4Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 360W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXFH18N60P
pdf, 213 КБ