IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; 115нC
![Фото 1/2 IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; 115нC](https://static.chipdip.ru/lib/978/DOC035978965.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC006307507.jpg)
98 200 ֏
от 3 шт. —
86 200 ֏
1 шт.
на сумму 98 200 ֏
Описание
Источник питания переменного/постоянного тока
Источник питания переменного/постоянного тока от компании Littelfuse часто используется в электронных устройствах. Компоненты этих блоков питания должны быть надежными и долговечными, и компания Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающих этим требованиям. Этот портфель компонентов охватывает защиту от перегрузки по току и перенапряжению, силовой каскад и защиту выхода. Типичные области применения источников питания переменного/постоянного тока Littelfuse включают автомобильную, солнечную, промышленную, производственную и другие области.
Источник питания переменного/постоянного тока от компании Littelfuse часто используется в электронных устройствах. Компоненты этих блоков питания должны быть надежными и долговечными, и компания Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающих этим требованиям. Этот портфель компонентов охватывает защиту от перегрузки по току и перенапряжению, силовой каскад и защиту выхода. Типичные области применения источников питания переменного/постоянного тока Littelfuse включают автомобильную, солнечную, промышленную, производственную и другие области.
Технические параметры
Case | SOT227B |
Drain current | 48A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Electrical mounting | screw |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Gate charge | 115nC |
Gate-source voltage | -5…20V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | IXYS |
Mechanical mounting | screw |
On-state resistance | 50mΩ |
Polarisation | unipolar |
Reverse recovery time | 54ns |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | SiC |
Type of module | MOSFET transistor |
Brand: | IXYS |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-227-4 |
Packaging: | Tube |
Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Product: | Power MOSFET Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Technology: | SiC |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
Вес, г | 50 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 208 КБ