IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; 115нC

Фото 1/2 IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; 115нC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
98 200 ֏
от 3 шт.86 200 ֏
1 шт. на сумму 98 200 ֏
Номенклатурный номер: 8002679618
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Источник питания переменного/постоянного тока

Источник питания переменного/постоянного тока от компании Littelfuse часто используется в электронных устройствах. Компоненты этих блоков питания должны быть надежными и долговечными, и компания Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающих этим требованиям. Этот портфель компонентов охватывает защиту от перегрузки по току и перенапряжению, силовой каскад и защиту выхода. Типичные области применения источников питания переменного/постоянного тока Littelfuse включают автомобильную, солнечную, промышленную, производственную и другие области.

Технические параметры

Case SOT227B
Drain current 48A
Drain-source voltage 1.2kV
Electrical mounting screw
Features of semiconductor devices Kelvin terminal
Gate charge 115nC
Gate-source voltage -5…20V
Kind of channel enhanced
Manufacturer IXYS
Mechanical mounting screw
On-state resistance 50mΩ
Polarisation unipolar
Reverse recovery time 54ns
Semiconductor structure single transistor
Technology SiC
Type of module MOSFET transistor
Brand: IXYS
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10
Id - Continuous Drain Current: 48 A
Manufacturer: IXYS
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Chassis Mount
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-227-4
Packaging: Tube
Product Category: Discrete Semiconductor Modules
Product Type: Discrete Semiconductor Modules
Product: Power MOSFET Modules
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
Subcategory: Discrete Semiconductor Modules
Technology: SiC
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V
Вес, г 50

Техническая документация

Datasheet
pdf, 208 КБ