DSEI120-12AZ-TUB, Диод: выпрямительный; SMD; 1,2кВ; 109А; 40нс; Упаковка: туба; 357Вт
![Фото 1/2 DSEI120-12AZ-TUB, Диод: выпрямительный; SMD; 1,2кВ; 109А; 40нс; Упаковка: туба; 357Вт](https://static.chipdip.ru/lib/186/DOC048186755.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/116/DOC030116464.jpg)
19 300 ֏
от 3 шт. —
15 400 ֏
от 10 шт. —
12 400 ֏
от 30 шт. —
10 900 ֏
1 шт.
на сумму 19 300 ֏
Описание
Решения для внедорожных электромобилей
Littelfuse предлагает широкий спектр решений для внедорожных электромобилей. Эти электромобили имеют схожую архитектуру и имеют диапазон мощности от 48 В до 400 В. Внедорожные электромобили включают электрические вилочные погрузчики, тележки для гольфа, трехколесные автомобили, тягачи, катки и экскаваторы.
Littelfuse предлагает широкий спектр решений для внедорожных электромобилей. Эти электромобили имеют схожую архитектуру и имеют диапазон мощности от 48 В до 400 В. Внедорожные электромобили включают электрические вилочные погрузчики, тележки для гольфа, трехколесные автомобили, тягачи, катки и экскаваторы.
Технические параметры
Case | TO268AAHV |
Features of semiconductor devices | fast switching |
Kind of package | tube |
Load current | 109A |
Manufacturer | IXYS |
Max. forward impulse current | 540A |
Max. forward voltage | 1.55V |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Mounting | SMD |
Power dissipation | 357W |
Reverse recovery time | 40ns |
Semiconductor structure | single diode |
Technology | FRED |
Type of diode | rectifying |
Brand: | IXYS |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | TO-268-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 375 W |
Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Product: | Diode Power Modules |
Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | Fast Recovery |
Vf - Forward Voltage: | 1.8 V |
Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
Вес, г | 3.96 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 116 КБ