UMH9NFHATN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 шт. с центрального склада, срок 3 недели
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
291 ֏
от 10 шт. —
242 ֏
2 шт.
на сумму 968 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN Digital transistor (Corresponds to AEC-Q101)
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 68 |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Frequency: | 250 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Output Voltage: | 100 mV |
Package/Case: | SOT-363-6 |
Part # Aliases: | UMH9NFHA |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | Digital Transistors |
Product Type: | Digital Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 4.7 |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1127 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг