IXFP180N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 180А, 480Вт, TO220-3, 66нс
![IXFP180N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 180А, 480Вт, TO220-3, 66нс](https://static.chipdip.ru/lib/162/DOC037162225.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 900 ֏
от 3 шт. —
6 000 ֏
от 10 шт. —
4 710 ֏
от 50 шт. —
3 960 ֏
1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Технические параметры
Case | TO220AB |
Drain current | 180A |
Drain-source voltage | 100V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 185nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 6mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 480W |
Reverse recovery time | 66ns |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2.09 |