IXFP180N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 180А, 480Вт, TO220-3, 66нс

IXFP180N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 180А, 480Вт, TO220-3, 66нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 900 ֏
от 3 шт.6 000 ֏
от 10 шт.4 710 ֏
от 50 шт.3 960 ֏
1 шт. на сумму 6 900 ֏
Номенклатурный номер: 8002916756
Бренд: Ixys Corporation

Технические параметры

Case TO220AB
Drain current 180A
Drain-source voltage 100V
Features of semiconductor devices thrench gate power mosfet
Gate charge 185nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 6mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 480W
Reverse recovery time 66ns
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 2.09