IXGP20N120A3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 900 ֏
от 3 шт. —
6 100 ֏
от 10 шт. —
4 710 ֏
1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Collector current | 20A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 50nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 180W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Technology | GenX3™, PT |
| Turn-off time | 1.53µs |
| Turn-on time | 66ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 236 КБ