2SA1641S-TL-E
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1 810 ֏
от 2 шт. —
1 370 ֏
от 5 шт. —
1 090 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Описание
Электроэлемент
Trans GP BJT PNP 20V 8A 1000mW
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 8(A) |
Collector-Base Voltage | 25(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 140@500MA@2V |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 200(MHz) |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Power Dissipation | 1(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Документация
pdf, 38 КБ