MJD117G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 560 ֏
от 2 шт. —
2 070 ֏
от 5 шт. —
1 730 ֏
от 10 шт. —
1 600 ֏
1 шт.
на сумму 2 560 ֏
Посмотреть аналоги4
Технические параметры
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 20µA |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Minimum DC Current Gain | 1000 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 0.67 |