IXXH150N60C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 600В, 150А, 1,36кВт, TO247-3
![Фото 1/2 IXXH150N60C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 600В, 150А, 1,36кВт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
12 300 ֏
от 3 шт. —
9 800 ֏
от 10 шт. —
7 900 ֏
от 30 шт. —
6 900 ֏
1 шт.
на сумму 12 300 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор IGBT, GenX3™, 600В, 150А, 1,36кВт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 150A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Gate charge | 200nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 1.36kW |
Pulsed collector current | 700A |
Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
Turn-off time | 230ns |
Turn-on time | 0.1µs |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ