FZT655TA, TRANS NPN 150V 1A SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
361 ֏
от 100 шт. —
282 ֏
от 500 шт. —
250 ֏
2 шт.
на сумму 968 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 180 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT655 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Case | SOT223 |
Collector current | 1A |
Collector-emitter voltage | 150V |
Frequency | 30MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 3W |
Type of transistor | NPN |
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@200mA, 1A |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 50@500mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 2W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 30MHz |
Техническая документация
Datasheet FZT655TA
pdf, 266 КБ
FZT655
pdf, 267 КБ