2N7002E-7-F, MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
от 500 шт. —
26 ֏
от 3000 шт. —
23 ֏
30 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.223 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 223 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Series: | 2N7002E |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Case | SOT23 |
| Drain current | 0.2A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 4Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.37W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V, 250mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 370mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 220pC@4.5V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 105 КБ