2N5551, 160V 625mW 80@10mA,5V 600mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7300 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
23 ֏
от 2500 шт. —
18 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Manufacturer | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | 2N5551 PBFREE |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2N5551 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet 2N5551
pdf, 152 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг