DXT751-13, TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 475 000 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR PNP
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | DXT751 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
Техническая документация
Datasheet DXT751-13
pdf, 127 КБ