DMN62D0U-7, MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
44 ֏
от 500 шт. —
37 ֏
от 3000 шт. —
32 ֏
20 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,3А, 0,38Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | DMN62 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 380mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 32pF @ 30V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 380mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 100mA, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.2Ом |
| Power Dissipation | 380мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 380мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 380мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 12.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 1.8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 380 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 590 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 500 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Rise Time: | 2.5 ns |
| Series: | DMN62D0U |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |