KND3308A, 80V 80A 120W 9m@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS
3962 шт., срок 8-10 недель
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
396 ֏
от 30 шт. —
356 ֏
от 100 шт. —
303 ֏
2 шт.
на сумму 1 080 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003390070
Бренд: KIA Semicon Tech
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
80V 80A 120W 9mΩ@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 80A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 120W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9mΩ 30A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V, 30A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 120W |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet KND3308A
pdf, 472 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг