FDV301N, MOS N-Channel VDS=25V VGS=8V ID=220mA RDSON=4@4.5V SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
49 ֏
от 200 шт. —
43 ֏
от 600 шт. —
40 ֏
20 шт.
на сумму 1 060 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 25В, 0,22А, 0,35Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 6 ns |
| Forward Transconductance - Min | 0.2 S |
| Height | 1.2 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 220 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | FDV301N_NL |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5 Ohms |
| Rise Time | 6 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDV301N |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 3.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.2 ns |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Width | 1.3 mm |
Техническая документация
Документация
pdf, 294 КБ
Datasheet FDV301N
pdf, 276 КБ