KIA50N06BD, 60V 50A 12.5m ё@10V,30A 88W 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
16580 шт., срок 8-10 недель
200 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
160 ֏
от 150 шт. —
138 ֏
от 500 шт. —
120 ֏
5 шт.
на сумму 1 000 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003417781
Бренд: KIA Semicon Tech
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
60V 50A 12.5mΩ@10V,30A 88W 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 50A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 88W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.5mО© @ 30A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12.5mΩ@10V, 30A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 88W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet KIA50N06BD
pdf, 394 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг