DMP3125L-7, MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
75 ֏
от 500 шт. —
58 ֏
от 3000 шт. —
50 ֏
10 шт.
на сумму 930 ֏
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -2А, 0,65Вт, SOT23
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Qg - заряд затвора | 3.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 76 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6.3 ns |
| Время спада | 13.1 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 21.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.5 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Base Product Number | DMP3125 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 254pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 650mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 3.8A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 145 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.1 nC @ 4.5V |
| Width | 1.4mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 539 КБ
Datasheet DMP3125L-7
pdf, 521 КБ