AP2305, 20V 3.5A 65m ё@4.5V,3.5A 350mW 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
17600 шт., срок 8-10 недель
58 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
53 ֏
50 шт.
на сумму 2 900 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003454820
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 3.5A 65mΩ@4.5V,3.5A 350mW 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.5A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65mО© @ 3.5A,4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V, 5.6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet AP2305
pdf, 642 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг